Исследование поверхностного слоя кремния с напылением индия

Работа относится к области нанотехнологий, бурно развивающейся в последние десятилетия. Многие моменты до сих пор остаются неясными и требуют дополнительной проработки. Предлагаемая работа содержит анализ закономерностей образования на поверхностях Si(111) и Si(557) элементов реконструкции и кластерных структур. Исследованы особенности возникновения реконструкции 7х7 на вицинальной поверхности Si(557). Установлено, что начало образования кластеров на поверхности Si(557) в отличие от поверхности Si(111) начинается не сразу с началом напыления. Задержка составляет до 20% от общего времени напыления монослоя. За время этой задержки атомы индия осаждаются на ступеньках, образуя зоны неструктурированного покрытия индием. Сделана попытка объяснить причину образования столь сложных реконструкций, как 7х7 или 5х5. Сформулирована версия создания методики STMS - одновременного сканирования рельефа поверхности и снятия спектроскопических зависимостей.